Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «МИКРОСТРУКТУРА ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ РАСПЛАВА МОНОКРИСТАЛЛОВ FEGE2 ПО ДАННЫМ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Авторы:
  • Бункин А. Ю.1
  • Колосов В.Ю.2
  • Папушина Т. И.3
стр. 44-47
Платно
1 Уральский федеральный университет, 2 Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, 620002 Екатеринбург, ул. Ленина, 51, 3 Уральский федеральный университет
Ключевые слова:
  • монокристаллы
  • просвечивающая электронная микроскопия
  • микроструктура
  • дислокации
  • параметры выращивания
  • single crystals
  • transmission electron microscopy
  • dislocations
  • growth parameters
Аннотация:
Приведены результаты исследования микроструктуры монокристаллов дигерманида железа FeGe2, выполненного методами просвечивающей электронной микроскопии и металлографии. Выявлены основные типы микродефектов: дислокации, залегающие в плотноупакованных плоскостях, дислокационные петли и дефекты упаковки. Охарактеризовано пространственное распределение дефектов, связанное с технологическими особенностями процесса выращивания кристаллов. Установлено, что плотность дислокаций не превышает 104 см-2 и остается приблизительно постоянной в широком диапазоне скоростей выращивания. Показано, что малые добавки примесей (Co, Al, Sn) практически не изменяют характер дислокационной структуры, и при соответствующей корректировке режимов выращивания можно получить кристаллы высокого структурного совершенства.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.