Статья «ЭВОЛЮЦИЯ МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ПРИ РОСТЕ ПЛЕНОК АМОРФНОГО И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Изучена эволюция морфологии поверхности для LPCVD-пленок поликристаллического Si (Tосажд = 620°C), пленок аморфного Si (Tосажд = 550°C) и поликристаллического Si, полученных кристаллизацией аморфного Si, в интервале толщин 40-500?нм. Установлено, что c ростом толщины от 40 до 500?нм шероховатость поверхности (параметры Sq, Sz, Sv) для поликристаллического Si возрастает, а в случае пленок аморфного Si и поликристаллического Si, полученных кристаллизацией аморфного Si, наоборот убывает. При этом корреляционная длина (Sal) возрастает для всех трех типов пленок кремния. Пленки поликристаллического Si, полученные кристаллизацией аморфного Si, по сравнению с LPCVD-пленками поликристаллического Si имеют значительно меньшую шероховатость поверхности, соответственно, Sq меньше в два раза при толщине 40?нм и в 16 раз при 500?нм. В отличие от толстых пленок, тонкие пленки аморфного Si (при толщинах менее 40?нм) имеют зернообразную структуру, которая особенно ярко выражена при средней толщине около 20?нм, и на зависимости Sq от толщины наблюдается максимум.