Статья «УФ-ассистирование процесса роста прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка, "Письма в Журнал технической физики"»

Выполнены сравнительные исследования микроструктуры, оптических и электрических характеристик слоев ZnO, легированного галлием, синтезированных методом магнетронного распыления при ассистировании процесса роста ультрафиолетовым излучением и без ассистирования. Обнаружено, что УФ-ассистирование процесса роста прозрачных проводящих слоев на основе ZnO способствует улучшению их электрических характеристик за счет создания дополнительных донорных центров и снижения рассеяния носителей заряда на межзеренных границах, существенно не влияя при этом на морфологию слоев и средний коэффициент оптического пропускания в видимой области спектра.