Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4H-SiC, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Лебедев А.А.1
  • Давыдовская К.С.2
  • Якименко А.Н.3
  • Стрельчук А.М.4
  • Козловский В.В.5
стр. 63-67
Платно
1 Институт астрономии Российской академии наук, Москва, Россия, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 4 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 5 Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН, Москва
Аннотация:
Исследовано изменение вольт-амперных характеристик и величины некомпенсированной донорной примеси (N-N) в базе диодов Шоттки и JBS-диодов на основе 4H-SiC при их облучении электронами с энергией 0.9 MeV и протонами с энергией 15 MeV. Скорость удаления носителей при облучении электронами составила 0.07-0.15 cm, а при облучении протонами 50-70 cm. Показано, что исследованные приборы сохраняли выпрямляющие вольт-амперные характеристики вплоть до доз электронного облучения ~ 10 cm. Показано, что радиационная стойкость исследованных приборов на основе SiC существенно превосходит радиационную стойкость кремниевых p-i-и-диодов с аналогичными напряжениями пробоя.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.