Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Сравнение элементов флеш-памяти с использованием материалов на основе графена, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Антонова И.В.1
  • Котин И.А.2
  • Орлов О.М.3
  • Девятова С.Ф.4
стр. 43-50
Платно
1 Новосибирский государственный университет; Новосибирский государственный технический университет, 2 Институт физики полупроводников им. А.О. Ржанова СО РАН, 3 Московский физико-технический институт (государственный университет), 4 Институт физики полупроводников им. А.О. Ржанова СО РАН
Аннотация:
Исследован захват заряда на тестовые структуры флеш-памяти с плавающими затворами из графена (мультиграфена) и его соединений (оксида графена и частично фторированного графена). Сравнение окна памяти для различных структур показало перспективность использования восстановленного оксида графена, мультиграфена и фторографена. Частично фторированный графен впервые был использован в качестве плавающего затвора в структурах флеш- памяти. Материалы на основе графена перспективны для 2D-печатных технологий и гибкой электроники.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.