Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние длины затвора на скорость инжекции электронов в каналах полевых транзисторов на основе AlGaN/AlN/GaN, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Михайлович С.В.1
  • Галиев Р.Р.2
  • Зуев А.В.3
  • Павлов А.Ю.4
  • Пономарев Д.С.5
  • Хабибуллин Р.А.6
стр. 9-14
Платно
1 Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской АН Российская Федерация, 117105, г. Москва, Нагорный проезд, 7, стр. 5, 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 3 Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской АН Российская Федерация, 117105, г. Москва, Нагорный проезд, 7, стр. 5, 4 Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской АН Российская Федерация, 117105, г. Москва, Нагорный проезд, 7, стр. 5, 5 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 6 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия.
Аннотация:
Исследованы полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе AlGaN/AlN/GaN с разной длиной затвора L. Значения максимальных частот усиления по току f и однонаправленного коэффициента усиления f составили 88 и 155 GHz для транзисторов с L = 125 nm и 26 и 82 GHz для транзисторов с L = 360 nm соответственно. На основе измеренных 5-параметров проведена экстракция значений элементов малосигнальных эквивалентных схем AlGaN/AlN/GaN HEMT и определена зависимость скорости инжекции Vj от напряжения затвор-исток. Также исследовано влияние длины затвора и напряжения между стоком и истоком на величину vj.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.