Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Королев Д.С.1
  • Никольская А.А.2
  • Кривулин Н.О.3
  • Белов А.И.4
  • Михайлов А.Н.5
  • Павлов Д.А.6
  • Тетельбаум Д.И.7
  • Соболев Н.А.8
  • Kumar M9
стр. 87-92
Платно
1 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия, 2 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 3 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 4 Научный центр волновых исследований Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН 119991 Москва, ул. Вавилова 38, 5 Чувашский государственный педагогический университет им. И.Я. Яковлева, 428000 Чебоксары, Россия, 6 Московский государственный университет, 7 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия, 8 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Россия, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26, 9 Indian Institute of Technology Jodhpur
Аннотация:
С помощью метода просвечивающей электронной микроскопии в приграничном слое кремния структуры SiO/Si, подвергнутой ионной имплантации и термической обработке, обнаружено образование включений гексагонального кремния (политип 9R). Образование гексагональной фазы обусловлено механическими напряжениями, возникающими в гетерофазной системе в процессе ионной имплантации.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.