Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Дроздов М.Н.1
  • Данильцев В.М.2
  • Дроздов Ю.Н.3
  • Хрыкин О.И.4
  • Юнин П. А.5
стр. 50-59
Платно
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, 2 Институт физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН), 3 Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, 4 Институт физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН), 5 Институт физики микроструктур РАН
Аннотация:
Развиваются новые возможности метода вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа атомного состава нанокластеров InGaAs в матрице GaAs. С использованием тестовых структур In Ga _ As получены нелинейные калибровочные зависимости „интенсивность-концентрация“ для вторичных ионов InAs и InAs, которые не содержат нормировки на элементы матрицы Ga или As и позволяют селективно анализировать состав нанокластеров. Проведен количественный послойный анализ концентрации индия и определены статистические характеристики массивов нанокластеров в гетероструктурах InGaAs/GaAs.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.