Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Поверхностные состояния в HgTe квантовой яме и рассеяние на шероховатостях, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Добрецова А. А.1
  • Entin M. V.2
  • Квон Д.3
  • Михайлов Н.Н.4
  • Дворецкий С.А.5
  • Брагинский Л. С.6
стр. 360-364
Платно
1 Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет, 2 Institute of Semiconductor Physics SB of the RAS; Novosibirsk State University, 3 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 4 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет, 5 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 6 Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет
  • SDI: 007.001.0370-274X.2015.000.5-6.360.364
  • ISSN: 0370-274X
Аннотация:
Проведено детальное исследование рассеяния двумерных электронов в широких (d = (18-22) нм) квантовых ямах на основе HgTe. Обнаружены выход на максимум и последующее падение подвижности при концентрациях двумерных электронов, превышающих (2-6) • 10 <sup>11</sup> см <sup>-2</sup>, вызванные рассеянием на шероховатостях квантовой ямы. Построена теория рассеяния на этих шероховатостях, принимающая в расчет трансформацию волновой функции с ростом электронной концентрации. Получено хорошее согласие эксперимента и указанной теории. На основе этого сделан вывод о существовании поверхностных состояний на границах широкой HgTe квантовой ямы.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.