Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Понижение порога вынужденного комбинационного рассеяния света в комбинационно-активных средах, введенных в поры глобулярного фотонного кристалла, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Альмохамед Я.1
  • Бариль Р.2
  • Водчиц А.И.3
  • Воинов Ю.П.4
  • Горелик В. С.5
  • Кудрявцева А. Д.6
  • Орлович В.А.7
  • Чернега Н.В.8
стр. 399-404
Платно
1 Moltech Anjou, Universite Angers/ CNRS UMR, 2 Moltech Anjou, Universite Angers/ CNRS UMR, 3 Институт физики им. Степанова НАН Беларуси, 4 Физический институт им. Лебедева РАН, 5 Московский государственный технический университет им. Баумана; Физический институт им. Лебедева РАН, 6 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 7 Институт физики им. Степанова НАН Беларуси, 8 Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва
  • SDI: 007.001.0370-274X.2015.000.5-6.399.404
  • ISSN: 0370-274X
Аннотация:
Сообщается о результатах экспериментального исследования характеристик вынужденного комбинационного рассеяния света в бензоле и сероуглероде, введенных в поры глобулярных фотонных кристаллов - опаловых матриц, сформированных из плотноупакованных шариков (глобул) аморфного кварца (кремнезема). Возбуждение спектров вынужденного комбинационного рассеяния осуществлялось гигантскими импульсами второй оптической гармоники (532 нм) лазера на алюмоиттриевом гранате. Регистрация спектров проводилась в направлении зеркального отражения от поверхности роста (111) глобулярного фотонного кристалла при различных углах (10° -70°) падения лазерного излучения. Обнаружено, что при определенном угле зеркального отражения порог вынужденного комбинационного рассеяния резко (более чем на порядок) падает и в спектре появляются дополнительные стоксовы и антистоксовы комбинационные спутники. Наблюдаемый эффект резкого снижения порога вынужденного комбинационного рассеяния объясняется возрастанием спектральной плотности электромагнитного поля в приповерхностной области фотонного кристалла в результате приближения спектрального положения стоп-зоны фотонного кристалла к возбуждающей линии (532 нм) при изменении угла падения возбуждающего излучения на поверхность (111).

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.