Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Нелокальный и локальный механизмы цезий-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности p-GaAs(Cs,0), "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Бакин В.В.1
  • Торопецкий К.В.2
  • Шайблер Г.Э.3
  • Терехов А.С.4
стр. 414-418
Платно
1 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 2 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 3 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 4 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН
  • SDI: 007.001.0370-274X.2015.000.5-6.414.418
  • ISSN: 0370-274X
Аннотация:
Установлено, что вероятность Cs-индуцированной хемосорбдии молекулярного кислорода на поверхности p-GaAs(Cs) определяется в основном вероятностью диссоциации молекулы во время ее столкновения с поверхностью. При увеличении количества адсорбированного кислорода на поверхности р- GaAs(Cs,0) вероятность его хемосорбции снижается и в зависимости от величины цезиевого покрытия может либо по-прежнему определяться вероятностью диссоциации молекулы, либо ограничиваться вероятностью “захвата” атомов кислорода локальными центрами хемосорбции, либо зависеть от этих двух процессов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.