Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Фотонно-стимулированное прохождение электрона через туннельный точечный контакт в микроволновом поле, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Tkachenko O.A.1
  • Tkachenko V. A.2
  • Kvon Z. D.3
стр. 417-422
Платно
1 Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB of the RAS, 2 Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB of the RAS; Novosibirsk State University, 3 Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB of the RAS; Novosibirsk State University
  • SDI: 007.001.0370-274X.2015.000.5-6.417.422
  • ISSN: 0370-274X
Аннотация:
Численным решением нестационарного уравнения Шредингера показано, что коэффициент прохождения электрона через одномерный плавный барьер в высокочастотном поле может увеличиваться на порядки в туннельном режиме и сильно уменьшаться в открытом режиме. При этом основной вклад вносят переходы с поглощением или испусканием нескольких фотонов. Найденным эффектом можно объяснить недавно обнаруженный сильный рост кондактанса туннельного точечного контакта при облучении структуры микроволнами.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.