Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Длинноволновый сдвиг края поглощения в растянутых слоях Ge, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Володин А.1
  • Соколов Л.В.2
стр. 455-458
Платно
1 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 2 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН
  • SDI: 007.001.0370-274X.2015.000.5-6.455.458
  • ISSN: 0370-274X
Аннотация:
Тонкие растянутые пленки Ge в многослойных гетероструктурах InGaAs/Ge/InGaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках GaAs (001), исследованы с применением методов спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии пропускания света. Растягивающие двуосные деформации в пленках достигали 1.9 %. В растянутых пленках Ge обнаружен сдвиг края поглощения в длинноволновую область. Оптическая щель уменьшается до ~ 0.48 эВ.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.