Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Перестройка структуры кристаллов парателлурита в приповерхностном слое, вызванная миграцией носителей зарядов во внешнем электрическом поле, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Куликов А.Г.1
  • Благов А.Е.2
  • Марченков Н.В.3
  • Ломонов В.А.4
  • Виноградов А.В.5
  • Писаревский Ю.В.6
  • Ковальчук М.В.7
стр. 679-683
Платно
1 Институт кристаллографии РАН, Москва, 2 Институт кристаллографии РАН, Москва, 3 Институт кристаллографии РАН, Москва, 4 Институт кристаллографии РАН, Москва, 5 Министерство здравоохранения Свердловской области, 6 Институт кристаллографии РАН, Москва, 7 Институт кристаллографии РАН, Москва
Аннотация:
С помощью in situ рентгенодифракционных измерений исследован процесс образования приповерхностных структур в кристалле парателлурита (а-ТеО) при приложении к нему внешнего электрического поля. Данный процесс имеет обратимый характер и по динамике протекания (длительность процесса составляет десятки минут) соответствует образованию экранирующего слоя у границы раздела диэлектрик-металл за счет встречной миграции ионов кислорода и кислородных вакансий во внешнем электрическом поле. Образование доменов наблюдается в эксперименте в виде уширения и расщепления рентгеновской кривой дифракционного отражения и объясняется механическими напряжениями, возникающими в сильном электрическом поле вблизи поверхности в результате пьезоэффекта и вызывающими ферроэластический a-в фазовый переход. Одновременно зарегистрировано изменение параметра решетки у анода (поверхность кристалла с положительным внешним зарядом), вызванное локальной перестройкой кристаллической структуры за счет скопления в этой области ионов кислорода и оттока кислородных вакансий.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.