Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Дробный квантовый эффект Холла в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe в слабых квантующих магнитных полях, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Долгополов В.Т.1
  • Melnikov M. Yu.2
  • Shashkin A. A.3
  • Хвангх С. Х.4
  • Лиух Ц. В.5
  • Кравченко С.В.6
стр. 819-822
Платно
1 Институт физики твердого тела РАН, 2 Institute of Solid State Physics, 3 Institute of Solid State Physics, 4 Department of Electrical Engineering and Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University; National Nano Device Laboratories, 5 Department of Electrical Engineering and Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University; National Nano Device Laboratories, 6 Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева, 125047 Москва, Россия
Аннотация:
Экспериментально исследован дробный квантовый эффект Холла в электронной системе квантовых ям SiGe/Si/SiGe в относительно слабых квантующих магнитных полях. Исследованная электронная система интересна тем, что в ней кулоновское взаимодействие между электронами в разы превышает циклотронную энергию исходных частиц. Обнаружены серии минимумов продольного магнитосопротивления, описываемые на языке композитных фермионов с квантовыми номерами p = 1; 2; 3; 4. Минимумы с p = 3 исчезают в магнитном поле ниже 7 T, что может быть связано с пересечением (или даже слиянием) квантовых уровней композитных фермионов. Предположение о пересечении уровней с разной ориентацией спина требует наличия аномально малого g фактора у композитных фермионов. Более вероятно, что пересекаются уровни с разной ориентацией псевдоспина, то есть уровни композитных фермионов из различных долин. Мы также наблюдали минимумы продольного магнитосопротивления при факторах заполнения v = 4/5 и 4/11, что может быть обусловлено образованием композитных фермионов второго поколения.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.