Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Динамика доменов спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением и проводимость донорного слоя, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Дорожкин С.И.1
  • Уманский В.2
  • Фон Клитцинг К.3
  • Смет Ю.Х.4
стр. 68-72
Платно
1 Институт физики твердого тела РАН, 2 Weizmann Institute of Science, 3 Max-Planck-Institut fur Festkorperforschung, 4 Max-Planck-Institut fur Festkorperforschung
Аннотация:
На образцах, изготовленных из одной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с двумерной электронной системой, выполнены измерения температурных зависимостей частоты переключений спонтанного электрического поля, возникающего под микроволновым излучением и образующего доменную структуру, и проводимости слоя легирования, поставляющего электроны в систему. Обнаружено, что обе величины описываются термоактивационной зависимостью (закон Аррениуса) с близкими значениями энергии активации. Полученный результат указывает на связь между этими величинами и подтверждает гипотезу о том, что наблюдаемая динамика доменной структуры является следствием динамического экранирования спонтанного электрического поля доменов зарядами слоя легирования.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%