Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Деформация сверхтонких слоев SiGeSn в матрице кремния, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Гутаковский А.К.1
  • Талочкин А. Б.2
стр. 746-751
Платно
1 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет, 2 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Исследована деформация слоев твердого раствора SiGeSn толщиной d = 1.5, 2.0 нм, полученных в Si с помощью молекулярно лучевой эпитаксии. Использован метод геометрической фазы при анализе изображений электронной микроскопии (ЭМ) сверхвысокого разрешения. Толщина слоев раствора сравнима с пространственным разрешением (Д ~ 1 нм) ЭМ, что приводит к значительному искажению профиля распределения деформации и погрешности в определяемой величине деформации. Из сравнения формы наблюдаемого и реального распределения деформации в исследованных слоях получены поправки к измеряемой величине, приближающие ее к реальному значению. Поправка определяется отношением Д/d. Найденные значения деформации хорошо согласуются с величинами, рассчитанными для псевдоморфного состояния слоев в модели абсолютно жесткой подложки.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.