Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Электронные и транспортные свойства гетерофазных соединений на основе MoS, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Квашнин Д. Г.1
  • Чернозатонский Л.А.2
стр. 230-234
Платно
1 Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН; Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 2 Институт биохимической физики им. Эмануэля РАН; Научная школа: Химия и технология материалов, РЭУ им. Плеханова
Аннотация:
В данной работе проведено детальное исследование новых гетерофазных сверхрешеток на основе MoS с помощью теории функционала электронной плотности. Показано, что внедрение 1Т-фазы в монослой 2Н- MoS приводит к формированию электронных уровней вблизи энергии Ферми и формированию квантовых ям в поперечном направлении сверхрешеток. Предложенные гетерофазные латеральные структуры дихалькогенидов переходных металлов имеют большие перспективы для конструирования новых элементов аноэлектроники.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.