Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЗАСЕЛЕНИЕ 2p55s-УРОВНЕЙ АТОМА НЕОНА В ПЛАЗМЕ СМЕСИ He?Ne. I. ЭВОЛЮЦИЯ МЕХАНИЗМОВ В РАЗРЯДЕ И ПОСЛЕСВЕЧЕНИИ, "Оптика и спектроскопия"»

Авторы:
  • ИВАНОВ В. А.1
  • Петровская А.С.2
  • Скобло Ю.Э.3
стр. 750-
Платно
1 ОАО “Авиадвигатель”, 2 Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия, 3 Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Проведено спектроскопическое исследование процессов заселения возбужденных состояний атома неона 2p55s-конфигурации в плазме послесвечения импульсного разряда в гелии с малой примесью неона (давление 38.1 мм рт. ст.; [He]/[Ne] 105). Установлено, что в фазе разряда и в начальной фазе послесвечения основным механизмом заселения уровня 3s2 (по Пашену) является передача возбуждения от метастабильных атомов гелия He(21S0). Остальные три уровня 3s3, 3s4, 3s5, соответствующие 2p55s-конфигурации, заселяются в послесвечении в результате диссоциативной рекомбинации ионов HeNe+ с электронами. Этот же процесс является основным источником заселения уровня 3s2 в поздней фазе послесвечения, когда мала концентрация атомов He(21S0). Рекомбинационный механизм заселения в стадии распада плазмы подтвержден наблюдением реакции интенсивностей линий на импульсный нагрев электронов. Получены оценки парциальных коэффициентов диссоциативной рекомбинации, отвечающих образованию атомов неона конфигурации 2p55s.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.