Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «СТРУКТУРА И МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ СЛОЕВ Si1 - xGex/Si/САПФИР, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МЛЭ С СУБЛИМАЦИОННЫМ КРЕМНИЕВЫМ И ГАЗОВЫМ ГЕРМАНИЕВЫМ ИСТОЧНИКАМИ, "Неорганические материалы"»

Авторы:
  • Денисов С.А.1
  • Боряков А.В.2
  • Питиримова Е.А.3
  • Матвеев С.А.4
  • Чалков В.Ю.5
  • Шенгуров В.Г.6
  • Николичев Д.Е.7
  • Трушин В.Н.8
стр. 805-
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, 119071, Ленинский проспект 31/4, Москва, Россия, 2 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 3 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Нижегородский государственный университет имени Н.И. Лобачевского”, Нижний Новгород., 4 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 5 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 6 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 7 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 8 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского
Аннотация:
Эпитаксиальные слои Si1 - xGex выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии с сублимационным источником кремния и газовым источником германия на подложках кремний-на-сапфире. Выращивание слоев Si1 - xGex непосредственно на подложке сапфира привело к ухудшению структурного совершенства, поэтому в дальнейшем рост осуществляли на буферном слое Si. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии определен профиль распределения элементов Si, Ge и фоновых примесей в слоях. Установлено, что варьирование толщины буферного слоя Si в пределах 50?300 нм не влияет на структуру слоя SiGe. Монокристаллические слои SiGe растут в интервале температур 360?410°C. Изменение концентрации германия в слое в интервале 5?25% не изменяет структуру слоя, но слегка увеличивает шероховатость.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%