Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК SnO2 Sb , ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ, "Неорганические материалы"»

Авторы:
  • Петухов И.А.1
  • Паршина Л.С.2
  • Зуев Д.А.3
  • Лотин А.А.4
  • Новодворский О. А.5
  • Храмова O.Д.6
  • Шатохин А.Н.7
  • Путилин Ф.Н.8
  • Румянцева М.Н.9
  • Козловский В.Ф.10
  • Маслаков К.И.11
  • Иванов В.К.12
  • Гаськов А.М.13
стр. 1211-
Платно
1 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук (ИПЛИТ РАН), Шатура, Московская область, Россия, 3 Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук, Шатура, 4 Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук, Шатура, 5 Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, 6 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук (ИПЛИТ РАН), Шатура, Московская область, Россия, 7 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Москва, Россия, 8 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Москва, Россия, 9 Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, химический факультет 119991 Москва, Ленинские горы, 1, 10 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова. Химический факультет 119991 Москва, Ленинские горы, 11 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 12 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва, 13 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Химический факультет
Аннотация:
Методами рентгенофазового анализа, оптической спектроскопии, сканирующей электронной микроскопии проведены исследования тонких пленок SnO2 Sb , синтезированных методом импульсного лазерного осаждения. Проведены холловские измерения зависимостей подвижности и концентрации свободных носителей заряда в пленках от состава мишени (0?8 ат. % Sb), удельное сопротивление пленок измерено четырехзондовым методом. Минимум электросопротивления ( = 2 ? 10-3 Ом см) и максимум прозрачности 85 в диапазоне 400?800 нм наблюдаются для пленок, полученных из мишени состава Sb/(Sn + Sb) = 2 ат. %. Изменение сопротивления пленок в большей степени определяется изменением концентрации носителей заряда, чем подвижности. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии установлено преобладающее зарядовое состояние сурьмы ? Sb5+.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.