Статья «Особенности изменения параметров гетерослоя Ge/Si (100) в зависимости от эффективной толщины слоя германия, "Наука Юга России"»

Исследованы пленки Ge с эффективной толщиной слоя не менее 25 нм, при росте которых superdome-островки, имеющие определенную степень шероховатости, срастаются в сплошную пленку. Выбрана оптимальная ориентация подложки кремния - Si (100), обеспечивающая возможность получения атомарно гладкой поверхности растущей пленки. Подобрана многоступенчатая методика очистки и пред-эпитаксиальной подготовки поверхности подложки Si (100). Проведена калибровка измерительных приборов, системы управления источниками Si и Ge, подобрана методика расчета и контроля параметров растущего слоя. Изучена топология поверхности и спектры рамановского рассеяния пленок Ge/Si (100) в зависимости от эффективной толщины слоя германия. Было проанализировано, какие механизмы релаксации преобладают в гетерослое с ростом его эффективной толщины ф, оценена степень релаксации островков в зависимости от их средней высоты, выявлена глубина проникновения лазерного луча при рамановской спектрометрии. Показано, при достижении какого критического значения эффективной толщины ф начинает резко усиливаться влияние упругой релаксации гетерослоя Ge на формирование Si-Ge эпитаксиальных структур. Найдено, что латеральный размер островковых структур увеличивается монотонно за счет слияния более мелких структур либо за счет заполнения адатомами межостровкового пространства. Образцы были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и исследованы средствами атомно-силовой микроскопии, рамановской спектроскопии и интерферометрии.