Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЗАВИСИМОСТЬ ТОПОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ И СПЕКТРОВ РАМАНОВСКОГО РАССЕЯНИЯ ПЛЕНОК GexSi1 - x/Si ОТ ИЗМЕНЕНИЯ СОСТАВА ПО ТОЛЩИНЕ СЛОЯ, "Кристаллография"»

Авторы:
  • Лунин Л.С.1
  • Сысоев И.А.2
  • Бавижев М.Д.3
  • Лапин В.А.4
  • Кулешов Д.С.5
  • Малявин Ф.Ф.6
стр. 501-
Платно
1 Южный научный центр Российской академии наук, 2 Северо-Кавказский федеральный университе, 3 Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь u, 4 Северо-Кавказский федеральный университет, 5 Южно-Российский государственный политехнический университет, 6 Северо-Кавказский федеральный университет
Аннотация:
Исследована топология поверхности и спектры рамановского рассеяния пленок GexSi1 - x/Si (100) в зависимости от профиля изменения состава пленки по толщине. Показано, что характер изменения содержания Ge в сплаве GexSi1 - x при равной интегральной доле Ge (xинт = 0.5) в пленке в целом влияет на морфологию поверхности выращенного слоя GexSi1 - x/Si. Гетероструктуры были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.