Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «РАССЕЯНИЕ СВЕТА В КРИСТАЛЛАХ ЛАНГАСИТА (La3Ga5SiO14), "Кристаллография"»

Авторы:
  • Закутайлов К.В.1
  • Ушаков Н.В.2
  • Набатов Б.В.3
стр. 450-
Платно
1 Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, Москва, 2 Институт кристаллографии РАН, Москва, 3 Институт кристаллографии РАН, Москва
Аннотация:
Предложен способ построения индикатрисы рассеяния света для образцов кристаллов в форме прямоугольных параллелепипедов различных кристаллофизических ориентаций. Создана экспериментальная установка, позволяющая осуществлять регистрацию интенсивности света, рассеянного в образцах такой формы в плоскости, перпендикулярной входной грани. Построены индикатрисы рассеяния света для образцов кристаллов лангасита в плоскостях XY и YZ. Оценены отражательная и пропускательная способности образцов при падении света на грани по нормали. Найден максимальный угол, под которым рассеянный внутри кристалла свет выйдет из него, не испытывая полного внутреннего отражения. Установлен экспериментальный угол поворота кристаллов лангасита для регистрации фотоприемником интенсивности рассеянного света.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.