Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «МОДЕЛЬНЫЙ ПОДХОД К РЕШЕНИЮ ОБРАТНОЙ ЗАДАЧИ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ВНУТРЕННЕЙ СТРУКТУРЫ ПЛЕНОК ОКСИДА ГАФНИЯ, "Кристаллография"»

Авторы:
  • Волков Ю.О.1
  • Кожевников И.В.2
  • Рощин Б.С.3
  • Филатова Е.О.4
  • Асадчиков В.Е.5
стр. 146-
Платно
1 Институт кристаллографии РАН, Москва, 2 Институт кристаллографии РАН, Москва, 3 Институт кристаллографии РАН, Москва, 4 Институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, 5 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН
Аннотация:
Обсуждаются ключевые особенности восстановления профиля диэлектрической проницаемости по глубине образца из измеренной угловой зависимости коэффициента отражения и анализируются фундаментальные факторы, приводящие к неоднозначности ее решения. Рассмотрен простейший подход для исследования внутренней структуры пленок HfO<sub>2</sub>, основанный на использовании физически разумной модели. Анализируются принципы построения модели пленки и критерии выбора минимально возможного числа подгоночных параметров. Показано, что даже для простейших моделей одиночных пленок неоднозначность рефлектометрии сохраняется. Обсуждаются подходы, позволяющие выбрать из нескольких возможных решений то, которое соответствует реальности.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.