Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «РАЗВИТИЕ ТЕХНОЛОГИИ РОСТА ВЫСОКООДНОРОДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, "Кристаллография"»

Авторы:
  • Стрелов В.И.1
  • Прохоров И.А.2
  • Коробейникова Е.Н.3
  • Сидоров В.С.4
  • Власов В.Н.5
  • Артемьев В.К.6
стр. 307-310
Платно
1 Институт кристаллографии РАН, Москва, 2 Лаборатория Космического материаловедения ИК РАН – филиал ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, Калуга, 3 Филиал Института кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН Научно-исследовательский центр “Космическое материаловедение”, 248640 Калуга, Россия, 4 Филиал Института кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН Научно-исследовательский центр “Космическое материаловедение”, 248640 Калуга, Россия, 5 Филиал Института кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН Научно-исследовательский центр “Космическое материаловедение”, 248640 Калуга, Россия, 6 Физико-энергетический институт им. А.И. Лейпунского (Государственный научный центр РФ), 249033 Обнинск, Россия
Аннотация:
Описаны различные технологические решения при выращивании монокристаллов полупроводников GaSb(Te) и Ge(Ga), позволяющие оптимизировать процесс роста высокооднородных на микроуровне кристаллов полупроводников методом Бриджмена. Проведенные исследования подтвердили возможность реализации стационарных условий роста, обеспечивающих однородное распределение легирующей примеси в кристалле.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.