Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ИССЛЕДОВАНИЕ ИЗМЕНЕНИЯ ПЛОТНОСТИ СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В ТОНКИХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНКАХ NBN ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ МЕТОДОМ СПЕКТРОСКОПИИ ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОНАМИ, "Кристаллографи»

Авторы:
  • Приходько К.Е.1
  • Дементьева М. М.2
  • Гурович Б.А.3
  • Комаров Д.А.4
  • Кутузов Л.В.5
стр. 261-265
Платно
1 Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», 2 Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 3 Институт реакторных материалов и технологий НИЦ “Курчатовский институт”, 123182 Москва, пл. Академика Курчатова д.1, 4 ФГУП “НПП “Торий” Российская Федерация, 117393 Москва, ул. Обручева, 52, 5 Национальный исследовательский центр Курчатовский институт, Москва
Аннотация:
Изучены изменения концентрации свободных электронов в сверхпроводящих ультратонких (5 нм) пленках NbN в исходном состоянии и после облучения ионами О+ в диапазоне доз (0.1-0.9) ? 1017 см-2 методом спектроскопии характеристических потерь энергии электронами на образцах поперечных срезов, изготовленных методом фокусированного ионного пучка. Анализ изменений электронной плотности проводился с использованием плазмонных колебаний в диапазоне значений энергии до 50 эВ. Установлено, что радиационно-индуцированная замена атомов азота атомами кислорода в нитриде ниобия привела к изменению электрофизических свойств материала, что обусловило падение плотности свободных электронов с увеличением дозы облучения.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.