Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ДИЭЛЕКТРИКА И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА С СУБВОЛНОВОЙ АЛЮМИНИЕВОЙ РЕШЕТКОЙ, "Кристаллография"»

Авторы:
  • Блинов Л.М.1
  • Лазарев В.В.2
  • Юдин С.Г.3
  • Артемов В. В.4
  • Палто С. П.5
  • Горкунов М. В.6
стр. 128-132
Платно
1 Институт кристаллографии РАН, Москва, 2 Уфимский государственный авиационный технический университет, 3 Российская Академия наук, Институт кристаллографии, Москва, 4 Институт кристаллографии им. Шубникова РАН, 5 Институт кристаллографии им. Шубникова РАН, 6 Институт кристаллографии им. Шубникова РАН
Аннотация:
Исследуется электрооптический эффект в трех наноразмерных гетероструктурах, в каждой из которых тонкий слой диэлектрического или сегнетоэлектрического материала находится между двумя плоскими металлическими электродами. В каждой структуре имеется один слой алюминия, включающий в себя субволновую решетку с периодом 400 нм, причем этот слой контактирует либо со стеклянной подложкой, либо с воздухом. В спектрах пропускания света через структуры с субволновой решеткой проявляются характерные плазмонные провалы. Короткие импульсы внешнего напряжения влияют на изменение показателя преломления соответствующего активного слоя. Значительные величины этих изменений могут оказаться полезными для разработки оптических модуляторов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.