Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ ПЛЕНОК InGaAs В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ РЕЖИМЕ НА ПОДЛОЖКАХ InP С ОРИЕНТАЦИЯМИ (100) И (411)А, "Кристаллография"»

Авторы:
  • Галиев Г.Б.1
  • Климов Е.А.2
  • Пушкарёв С.С.3
  • Клочков А.Н.4
  • Трунькин И.Н.5
  • Васильев А. Л.6
  • Мальцев П.П.7
стр. 604-612
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 3 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва, 4 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва, 5 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва, 6 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт’’, 7 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия.
Аннотация:
Проведены комплексные исследования структурных и электрофизических характеристик эпитаксиальных пленок InGaAs, выращенных в низкотемпературном режиме на подложках InP с кристаллографическими ориентациями (100) и (411)А при различном соотношении потоков молекул As и атомов (In, Ga) ? = 29 и 90. Показано, что при использовании подложек InP(411)А повышается вероятность образования двумерных дефектов (дефектов двойникования и упаковки, дислокаций, границ зерен), уменьшающих подвижность свободных электронов, и точечных дефектов As, играющих роль доноров и увеличивающих концентрацию свободных электронов. При повышении ? от 29 до 90 монокристаллические пленки InGaAs на подложках (100) и (411)А превращаются в поликристаллические.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.