Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, "Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Бакаров А.К.1
  • Гутаковский А.К.2
  • Журавлев К.С.3
  • Ковчавцев А.П.4
  • Торопов А.И.5
  • Бурлаков И.Д.6
  • Болтарь К.О.7
  • Власов П.В.8
  • Лопухин А.А.9
стр. 900-904
Платно
1 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 2 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет, 3 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск., 4 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 5 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 6 Новосибирский государственный университет, 7 АО НПО „Орион“, 8 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физиологии растений им. К.А. Тимирязева РАН, Москва, 9 АО НПО „Орион“
Аннотация:
Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии InSb слоев на подложках InSb. На основе выращенных слоев изготовлены матричные фотоприемные устройства (МФПУ) средневолнового инфракрасного диапазона. Проведено сравнение фотоэлектрических характеристик МФПУ на основе эпитаксиальных слоев и МФПУ серийно выпускаемых с использованием монокристаллов InSb.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.