Статья «Активационные энергии движения ионов в наноразмерной решетке суперионного проводника LaF3, "Журнал технической физики"»

Представлены результаты квантово-химических расчетов профиля внутрикристаллического потенциального рельефа в нанорешетке суперионного кристалла LaF3, содержащей 1200 ионов, размером 3.5 2.0 2.2 nm соответственно вдоль кристаллографических осей X , Y и Z . С помощью пакета программ МОРАС 2012 проведены расчеты профиля потенциального рельефа в центральной части нанорешетки при элементарном акте разупорядочения в самой легкоплавкой подрешетке ионов F1. Установлено, что в диэлектрической фазе кристалла LaF3 эффективная величина барьеров E m, препятствующих движению F1, равна 0.37 eV, в суперионном же состоянии барьер уменьшается до 0.15 eV. Установлено, что значение энергии E a активации разупорядочения подрешетки ионов F1 в диэлектрическом состоянии равно 0.16 и 0.04 eV для суперионной фазы. Представлены расчеты профиля потенциального рельефа на поверхности граней XY и XZ трехмерной нанорешетки LaF3 при перемещении иона F1 в направлении кристаллографической оси X в диэлектрическом состоянии кристалла. Полученные для этого случая активационные барьеры в 1.5 2 раза меньше барьеров в центральной части нанорешетки LaF3.