Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Состав и структура наноразмерных слоев GaNaAs, созданных в приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na+, "Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Болтаев Х.Х.1
  • Содикжанов Ж.Ш.2
  • Ташмухамедова ДА.3
  • Умирзаков Б.Е.4
стр. 1884-1886
Платно
1 Ташкентский государственный технический университет им. Абу Райхана Беруни, Ташкент, Республика Узбекистан, 2 Ташкентский государственный технический университет, 3 Ташкентский государственный технический университет, 4 Ташкентский государственный технический университет имени Абу Райхана Беруни.
Аннотация:
В работе с использованием методов оже-электронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов изучены состав и структура наноразмерных фаз GaNaAs, созданных имплантацией ионов натрия в приповерхностную область GaAs. Установлено, что при E = 20keV толщина эпитаксиального слоя трехкомпонентного соединения составляет 10-12 пт. GaAs-GaNaAs-GaAs

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.