Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Численное моделирование наносекундного переключения p-SOS-диода, "Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Подольская Н.И.1
  • Люблинский А.Г.2
  • Грехов И.В.3
стр. 1790-1793
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; СПбО МСЦ РАН, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Россия, 194021, С.-Петербург, Политехническая ул., 26
Аннотация:
Проведено численное моделирование процесса резкого обрыва обратного тока большой плотности при переключении с прямого смещения на обратное в кремниевой pPn-структуре (p-SOS-диоде). Показано, что в такой структуре обрыв тока происходит вследствие формирования двух динамических доменов сильного электрического поля в областях, где концентрация свободных носителей значительно превышает концентрацию легирующей примеси. Первый домен формируется в п+-области у n+ P-перехода, а второй в P-области у границы с р+-слоем. Второй домен расширяется существенно быстрее и именно он в основном определяет скорость обрыва тока. Достигнуто хорошее согласие расчета с экспериментом при полном учете реальной электрической цепи, определяющей процессы накачки и выкачки электронно-дырочной плазмы.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.