Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние электронного насыщения таммовских уровней на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния, "Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Яфаров Р.К.1
стр. 1578-1584
Платно
1 Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской АН
Аннотация:
Показано влияние плазмохимической модификации морфологии и состава поверхностной фазы на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния. Установлено, что электронное насыщение таммовских уровней в процессе получения атомно-чистых поверхностей кристаллов кремния и стабилизирующая пассивация поверхностных атомов в высокоионизованной микроволновой плазме с использованием хладона-14 позволяет по сравнению с пластинами с естественным оксидным покрытием или после их ионно-физического травления в среде аргона более чем в два раза уменьшить пороги напряженности электрического поля, при которых начинается полевая эмиссия электронов, и более чем на порядок увеличить максимальные плотности автоэмиссионных токов. Рассмотрены физико-химические механизмы, ответственные за модификацию поверхности и автоэмиссионных характеристик кристаллов кремния.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.