Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ОКСИДА ГРАФЕНА И НАФИОНА В РЕЖИМЕ ПРОТОННОЙ ПРОВОДИМОСТИ, "Журнал физической химии"»

Авторы:
  • Смирнов В.А.1
  • Мокрушин А.Д.2
  • Денисов Н.Н.3
  • Добровольский Ю.А.4
стр. 1111-1118
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, 2 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия, 3 Институт проблем химической физики РАН 132432, Черноголовка, Московская обл., просп. академика Семенова, 1, Россия, 4 Институт проблем химической физики Российской академии наук 142432 Черноголовка Московской обл., пр. Ак. Семенова, 1
Ключевые слова:
  • оксид графена
  • Нафион
  • протонная проводимость
  • полевой транзистор
Аннотация:
В модели полевого транзистора исследована протонная проводимость в пленках оксида графена (ОГ) и Нафиона в зависимости от влажности и напряжений на электродах. Установлено, что электрические характеристики этих пленок подобны, но подвижность положительных зарядов в Нафионе и усиление тока на ~2 порядка выше, чем в ОГ. В пленках ОГ отрицательно-ионный ток при положительном напряжении смещения составляет заметную величину (до ~10%) от протонного, в то время, как в пленках Нафиона он практически отсутствует (

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.