Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ДВИЖЕНИЕ ИОНА ЛИТИЯ ПО ГРАФЕН-СИЛИЦЕНОВОМУ КАНАЛУ. КОМПЬЮТЕРНАЯ МОДЕЛЬ, "Журнал физической химии"»

Авторы:
  • Рахманова О.Р.1
  • Галашев А. Е.2
стр. 887-891
Платно
1 Институт промышленной экологии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, 2 Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Ключевые слова:
  • литий
  • графен-силиценовый канал
  • моновакансии
  • траектория движения
  • ширина канала
Аннотация:
Методом молекулярной динамики исследован процесс движения иона лития по каналу, образованному листами совершенного и дефектного (с моновакансиями) силицена с поддержкой графеном при различной величине зазора канала. Установлено, что ион лития входит в канал и проходит через него при ширине зазора 0.75 и 0.8 нм; наличие моновакансий в листах силицена оказывает тормозящий эффект на транспорт лития по каналу; время прохода иона составляет 12.6 и 8.6 пс для идеального силицена и 27.7 и 31.8 пс для дефектного силицена соответственно. Показано, что листы графена оказывают стабилизирующее действие, не позволяя значительным образом изменяться величине зазора.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.