Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ВОЗМОЖНОСТЬ ОБРАЗОВАНИЯ МОНОСЛОЯ 2D SiC НА ПОДЛОЖКАХ Mg(0001) И MgO(111), "Журнал физической химии"»

Авторы:
  • Kuzubov A.A.1
  • Елисеева Н.С.2
  • Краснов П.О.3
  • Томилин Ф.Н.4
  • Федоров А.С.5
  • Толстая А.В.6
стр. 1336-
Платно
1 Kirensky Institute of Physics SB of the RAS, 2 Сибирский федеральный университет, Красноярск, 3 Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики им. Л.В. Киренского, Красноярск, 4 Сибирский федеральный университет, Красноярск, 5 Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики им. Л.В. Киренского, Красноярск, 6 Сибирский федеральный университет, Красноярск
Аннотация:
Исследованы геометрические особенности монослоя 2D SiC на пластинках Mg(0001) и MgO(111), рассматриваемых в качестве потенциальных материалов для выращивания двумерного карбида кремния. Определены наиболее выгодные положения атомов 2D SiC на подложках. Показано, что величина выхода атома углерода из плоскости монослоя карбида кремния незначительна в системе 2D SiC/Mg(0001) в отличие от 2D SiC/MgO(111) и составляет 0.08 A. Следовательно, существует возможность использования магния в качестве подложки для выращивания двумерного карбида кремния. Использовать MgO(111) нецелесообразно из-за сильного искажения поверхности 2D SiC.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.