Статья «ИСПАРЕНИЕ АТОМОВ УГЛЕРОДА С ОТКРЫТОЙ ПОВЕРХНОСТИ КАРБИДА КРЕМНИЯ И СКВОЗЬ ГРАФЕНОВЫЕ ЯЧЕЙКИ. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОЛУЭМПИРИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ КВАНТОВОЙ ХИМИИ, "Журнал физической химии"»

На основе полуэмпирических методов квантовой химии АМ1 и РМ3 проведено моделирование испарения атомов кремния в ходе эпитаксиального роста графена на сингулярной углеродной и кремниевой гранях карбида кремния SiC. Анализ проведен как для испарения атомов на открытой поверхности SiC, так и сквозь поверхность сформированных графеновых монослоев. Показано, что суммарный активационный барьер испарения атома кремния, его прохождения сквозь ячейки графена и последующего испарения с графена практически не превышает барьера испарения атома кремния на свободной поверхности SiC. Сделан вывод, что прохождение сквозь графен, таким образом, не является лимитирующей стадией процесса, но вносит заметную долю в эффективное время испарения.