Статья «РОЛЬ КЛАСТЕРНОЙ СТРУКТУРЫ В МАГНЕТИЗМЕ АМОРФНОГО СПЛАВА FeCriBi И В СМЕНЕ МЕХАНИЗМОВ РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ИОННОГО (Ar+) ОБЛУЧЕНИЯ, "Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Изучен вклад разномасштабных кластеров в магнетизм и переключение механизмов рассеяния электронов в аморфном сплаве Fe67CrieB15 при ионном (Ar+) облучении. Установлено, что кластерный магнетизм связан с присутствием двух типов кластеров: больших, размером D = 150-250 А a-фазы (Fe, Cr), и мелких, D = 40-80 , в разупорядоченной межкластерной среде. Генерация мелких FM- и AFM-кластеров ионным облучением приводит к формированию кластерного стекла, которое влияет на электрические свойства образцов и является основной причиной магнитной фрустрации. Показано, что температурная зависимость высоты барьера характеризует магнитное состояние образцов в слабых полях. Для системы в целом универсальной характеристикой является температурная зависимость параметра порядка. Для исходных образцов в интервале 98-300 K температурная зависимость удельного сопротивления р(Т) х х Т определяется рассеянием электронов на квантовых дефектах, переход в FM-состояние выявляется при анализе производной др/дТ х Т .В сильнонеоднородных образцах после облучения потоком Ф = = 1.5 • 10 ион/см рост сопротивления и зависимость р(Т) х Т обусловлены эффектами слабой локализации; переход в FM-состояние становится явным при рассмотрении производной др/дТ х Т. Облучение потоком Ф = 3 • 10 ион/см вызывает гигантское (вдвое) увеличение плотности, восстанавливает ферромагнетизм крупных кластеров, на 37 % снижает сопротивление и возвращает зависимость р(Т) х Т, что обусловлено перекрытием генерируемых облучением мелких кластеров с увеличением их концентрации и ростом плотности образцов. Перекрытие кластеров понижает высоту барьера и уменьшает чувствительность образцов к влиянию внешнего поля. Из-за частичной экранировки магнитных моментов крупных кластеров средой со свойствами кластерного стекла зависимость р(Т) х Т распространяется на весь исследуемый температурный интервал, Т = 2-300 K.