Статья «Взаимодействие оптических и интерфейсных фононов и их анизотропия в сверхрешетках GaAs/AlAs: эксперимент и расчеты, "Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Рассчитаны и экспериментально исследованы угловая анизотропия интерфейсных фононов и их взаимодействие с оптическими фононами в сверхрешетках GaAs/AlAs (001). В эксперименте применялся метод спектроскопии комбинационного рассеяния света в различных геометриях рассеяния, для фононов с волновым вектором, направленным как по нормали к сверхрешетке, так и вдоль ее слоев. Для расчетов частот фононов применялся расширенный метод Борна с учетом кулоновского взаимодействия в приближении жестких ионов. Спектры комбинационного рассеяния света были рассчитаны в приближении поляризуемости связей Волькенштейна. Расчеты подтвердили, что экспериментально наблюдаемая угловая анизотропия фононов возникает вследствие взаимодействия (смешивания) оптических фононов, в которых атомы смещаются в основном по нормали к сверхрешетке, с интерфейсными фононами (TO-IF-моды). В геометрии рассеяния, когда волновой вектор лежит в плоскости слоев сверхрешеток, смешанные TO-IF-моды наблюдаются в нерезонансных условиях. Спектры комбинационного рассеяния света TO-IF-мод зависят от перемешивания атомов на гетерограницах.