Статья «Осцилляции поглощения зондирующего пикосекундного импульса света, вызванные его взаимодействием с собственным пикосекундным стимулированным излучением в GaAs, "Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Ранее [1] в тонком слое (толщиной около 1 мкм) GaAs, подвергнутом мощной пикосекундной накачке, была обнаружена автомодуляция спектра поглощения пикосекундного импульса света. Из анализа ее характеристик [5] вытекало, что зависимости поглощения зондирующего импульса от энергии импульса накачки и от пикосекундной задержки между накачивающим и зондирующим импульсами должны быть автомодул и рованы осцилляциями. Такая автомодуляция экспериментально обнаружена в настоящей работе. При определенных условиях осцилляции поглощения оказались функцией доли энергии собственного пикосекундного стимулированного излучения GaAs, расположенной над определенным порогом в области перекрытия фронта излучения с фронтом зондирующего импульса. Обнаруживается сходство осцилляций поглощения с выявленной ранее [4] автомодуляцией характеристик собственного излучения. Это позволяет предполагать, что в основе автомодуляции поглощения и излучения лежит один и тот же тип взаимодействия световых импульсов в активной среде, физический механизм которого еще предстоит выявить.