Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Зависимость диэлектрической проницаемости прямозонных полупроводников от всестороннего давления Гаджиалиев, "Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Гаджиалиев М.М.1
  • Даунов М.И.2
  • Мусаев А.М.3
стр. 304-307
Платно
1 Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, 2 Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, 3 Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук
  • SDI: 007.001.0044-4510.2015.000.002.304.307
  • ISSN: 0044-4510
Аннотация:
По результатам количественного анализа барических зависимостей удельного сопротивления p(P ) и коэффициента Холла R<sub>H</sub>(P ) определена барическая зависимость диэлектрической проницаемости ? в диапазоне всестороннего давления от нуля до 1 ГПа в прямозонных полупроводниках ZnO, CdTe, InSb, InAs, CdSnAsa и CdGeAs<sub>2</sub>. Выяснено, что диэлектрическая постоянная убывает с ростом давления, причем коэффициент (d ?/dP)/ ? возрастает с увеличением (dE<sub>g</sub>=dP )=E<sub>g</sub>.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.