Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЗОННАЯ СТРУКТУРА СИЛИЦЕНА В ПРИБЛИЖЕНИИ СИЛЬНОЙ СВЯЗИ, "Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Герт А.В.1
  • Нестоклон М.О.2
  • Яссиевич И.Н.3
стр. 133-139
Платно
1 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия, 3 Физико-технический институт им. Иоффе РАН
  • SDI: 007.001.0044-4510.2015.000.001.133.139
  • ISSN: 0044-4510
Аннотация:
Представлено моделирование электронной структуры силицена методом сильной связи с базисом sp3d5s*. Результаты работы хорошо согласуются с расчетами из первых принципов. Методом инвариантов построен эффективный гамильтониан силицена в окрестности дираковской точки. В силицене атомы кремния расположены в двух параллельных плоскостях, перпендикулярно смещенных друг относительно друга на ? z, энергетический спектр существенно зависит от этого смещения. При помощи метода сильной связи определены коэффициенты эффективного гамильтониана для различных ?z.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%