Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЗАВИСИМОСТЬ ПЛАСТИЧЕСКОЙ РЕЛАКСАЦИИ ПЛЕНОК GaAs ОТ СПОСОБА ЗАРОЖДЕНИЯ ПЕРВОГО МОНОСЛОЯ As НА Si(001), "Известия Российской академии наук. Серия физическая"»

Авторы:
  • Лошкарев И.Д.1
  • Василенко А.П.2
  • Труханов Е.М.3
  • Колесников А.В.4
  • Putyato M.A.5
  • Semyagin B.R.6
  • Преображенский В.В.7
  • Пчеляков О.П.8
стр. 264-
Платно
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 3 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 4 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 5 Institute of Semiconductor Physics, 6 Institute of Semiconductor Physics, 7 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 8 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Аннотация:
Исследована структура пленок GaAs на вицинальных подложках Si(001) (поворот на 6° вокруг <img src="/ItemImages/1109992/18850580/FO_1_1.gif" align=absmiddle border=0> 011<img src="/ItemImages/1109992/18850580/FO_1_2.gif" align=absmiddle border=0> ), полученных двумя способами зарождения: осаждением As на Si и замещением монослоя Si монослоем As. С помощью рентгеновской дифрактометрии обнаружено, что направление поворота кристаллической решетки пленки зависит от способа зарождения. Предложен вариант формирования дислокационной структуры пленок.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.