Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «СТРУКТУРНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НИТРИДА АЛЮМИНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАПЫЛЕНИЯ НА ПОДЛОЖКАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ С РАЗЛИЧНОЙ ОРИЕНТАЦИЕЙ, "Известия Российской академии наук. Серия физическая"»

Авторы:
  • Середин П.В.1
  • Голощапов Д. А.2
  • Леньшин А.С.3
  • Терновая В. Е.4
  • Арсентьев И.Н.5
  • Бондарев А. Д.6
  • Тарасов И.С.7
стр. 1243-1252
Платно
1 Воронежский государственный университет, 2 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Воронежский государственный университет”, 3 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежский государственный университет, 4 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Воронежский государственный университет”, 5 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, 6 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 7 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург
Аннотация:
Методами ИК- и УФ-спектроскопии были изучены свойства наноструктурированных пленок нитрида алюминия, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs с различной ориентацией. Получены наноструктурированные тонкие пленки нитрида алюминия (100-200 нм) кубической сингонии, имеющие показатель преломления в диапазоне 1.6-4.0 для области длин волн ~250 нм и оптическую ширину запрещенной зоны ~5 эВ. Рост на разориентированной подложке GaAs(100) (раз- ориентация 4° к плоскости [110]) позволяет получить пленки AlN с меньшим размером зерна и более высоким показателем преломления (n ~ 4). Показано, что управление морфологией, составом поверхности и оптическими функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs может быть достигнуто за счет использования разориентированных подложек GaAs.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.