Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ ПРОЦЕССА СТРУКТУРНОЙ РЕЛАКСАЦИИ В СЛОЯХ СТУПЕНЧАТОГО МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА НА ОСНОВЕ ТРОЙНЫХ РАСТВОРОВ INXAL1-XAS, "Известия Российской академии наук. Серия физическая"»

Авторы:
  • Алёшин А.Н.1
  • Бугаев А. С.2
  • Рубан О.А.3
  • Андреев Н.В.4
  • Щетинин И.В.5
стр. 1442-1450
Платно
1 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, 2 Московский физико-технический институт; Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. Котельникова РАН, 3 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва, 4 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, Москва, 5 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования “Национальный исследовательский технологический университет МИСиС”, Москва
Аннотация:
На основе построения карт обратного пространства получены пространственные распределения остаточных упругих деформаций в слоях двух ступенчатых метаморфных буферов различного дизайна, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе тройных растворов InxAl1-xAs. Показано, что с учетом поправки на эффект деформационного упрочнения величина остаточной упругой деформации в бездислокационных слоях буферов определяется тем же самым феноменологическим законом, что и в однослойных гетерофазных структурах.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.