Статья «Спектроскопия резонансного возбуждения экситонной люминесценции твердых растворов GaSe-GaTe, "Физика твердого тела"»

Исследованы спектры возбуждения люминесценции локализованных экситонов в твердых растворах GaSe0.85Te0.15 при T=2 K. Показано, что в спектрах возбуждения экситонов с энергией локализации varepsilon> 10 mV возникает дополнительный максимум ME, расположенный с низкоэнергетической стороны от максимума, соответствующего полосе поглощения свободного экситона с n=1. Установлено, что сдвиг положения максимума ME в спектре возбуждения относительно энергии детектируемых фотонов увеличивается по мере уменьшения энергии детектируемых фотонов, то есть с увеличением энергии локализации экситонов. При резонансном возбуждении локализованных экситонов монохроматическим светом из области полосы экситонного излучения в спектре экситонной люминесценции с низкоэнергетической стороны от линии возбуждения также наблюдается максимум излучения (ML). Энергетическое расстояние между положением возбуждающей линии и положением максимума в спектре излучения увеличивается по мере уменьшения частоты возбуждающего света. Рассматриваются возможные механизм появления описанной структуры спектров возбуждения и экситонной люминесценции в GaSe0.85Te0.15. Сделан вывод, что максимумы ME в спектре возбуждения и ML в спектре излучения обусловлены электронно-колебательными переходами с рождением и аннигиляцией локализованных экситонов соответственно.