Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Фотоиндуцированная гетероструктура в пленке двуокиси ванадия, "Физика твердого тела"»

Авторы:
  • Семенов А.Л.1
стр. 341-344
Платно
1 ФГБОУ ВПО “Иркутский государственный университет”, 664003 г. Иркутск, б-р Гагарина, д. 20
Аннотация:
Теоретически исследован фотоиндуцированный фазовый переход полупроводник-металл, протекающий за время Delta t<1 ps в поверхностном слое пленки двуокиси ванадия на алюминиевой подложке. Рассмотрен нетепловой механизм развития неустойчивости. Показано, что в пленке VO2 образуется гетерофазная структура, содержащая металлические и полупроводниковые слои. Вычислено время фазового перехода tau в зависимости от расстояния z до поверхности пленки. Проведено сравнение с экспериментом.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.