Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Плотность состояний тонких сверхпроводящих каналов в режиме квантовых флуктуаций параметра порядка, "Физика твердого тела"»

Авторы:
  • Семенов А.Г.1
  • Арутюнов К.Ю.2
  • Радкевич А.А.3
  • Заикин А.Д.4
  • Lehtinen J.S.5
стр. 2092-2094
Платно
1 Акустический институт им. Н.Н. Андреева, 117036 Москва, ул. Шверника 4, 2 Национальный исследовательский университет „Высшая школа экономики“, Московский институт электроники и математики; Институт физических проблем РАН им. П.Л. Капицы, 3 Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН; Московский физико-технический институт, 4 Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН; Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology, 5 VTT Technical Research Centre of Finland Ltd., Centre for Metrology MIKES
Аннотация:
Экспериментально исследовались вольт-амперные характеристики туннельных контактов сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник (С1-И-С2), где сверхпроводящий электрод С2 представлял из себя тонкий нанопровод. Обнаруженное размытие щелевых особенностей интерпретируется как проявление эффекта квантовых флуктуаций параметра порядка. Предложена модель, учитывающая уширение плотности состояний за счет взаимодействия электронов с плазмонной модой Муи-Шёна, возникающей в квазиодномерном сверхпроводящем канале в режиме квантовых флуктуаций параметра порядка. Модель дает разумное качественное согласие с экспериментом.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%