Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ФОРМИРОВАНИЕ ВНУТРЕННЕГО ТРАНСПОРТНОГО БАРЬЕРА И МГД-АКТИВНОСТЬ В ЭКСПЕРИМЕНТАХ С УПРАВЛЕНИЕМ ПЛОТНОСТЬЮ РАЦИОНАЛЬНЫХ МАГНИТНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ, "Физика плазмы"»

Авторы:
  • Горшков А.В.1
  • Днестровский А.Ю.2
  • Лысенко С.Е.3
  • Кислов А.Я.4
  • Ноткин Г.Е.5
  • Андреев В.Ф.6
  • Разумова K.A.7
  • Бельбас И.С.8
  • Дябилин K.С.9
  • Тимченко Н.Н.10
  • Чудновский A.Н.11
  • Шелухин Д.A.12
стр. 779-
Платно
1 Институт химической физики им. Н.Н. Семенова Российской академии наук 119991 Москва, ул. Косыгина, 4, 2 Институт геохимии и аналитической химии им. В.И. Вернадского РАН 119991 ГСП-1 Москва, ул. Косыгина 19, 3 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 4 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва, Россия, 5 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва, Россия, 6 НИЦ “Курчатовский институт”, Москва, Россия, 7 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва, Россия, 8 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва, Россия, 9 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва, Россия, 10 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва, Россия, 11 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва, Россия, 12 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва, Россия
  • В выпуске: №9, 2013, Том 39
  • В журнале: Физика плазмы
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Физика
  • Год выхода: 2013
Аннотация:
На токамаке T-10 проведены эксперименты по формированию внутреннего электронного транспортного барьера вблизи рациональной поверхности q = 1.5. Использовался нецентральный электронно-циклотронный нагрев с последующим резким нарастанием тока по плазме. После подавления пилообразных колебаний за счет электронно-циклотронного нагрева внутренний транспортный барьер начинал формироваться вблизи рациональной поверхности q = 1.5. В фазе с ростом тока качество транспортного барьера улучшалось, в итоге энергетическое время жизни в центральной зоне плазмы увеличивалось в 2?2.5 раза. Осуществляемое в эксперименте уплощение профиля запаса устойчивости q(r) не вызывало заметного роста МГД-активности плазменного шнура, несмотря на возможное, согласно теории, образование значительных магнитных островов на модах m/n = 3/2 и m/n = 2/1. Обсуждаются условия, при которых уплощение профиля q вблизи рациональных поверхностей с низкими номерами приводит либо к формированию внутреннего транспортного барьера, либо к развитию островной магнитной структуры на тиринг-модах.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%